磁敏電阻+
銻化銦(InSb)薄膜磁敏電阻SMR芯片
銻化銦薄膜磁敏電阻是本公司的核心產(chǎn)品,是磁敏電阻類傳感器的核心敏感元件。其阻值R隨垂直通過它的磁通密度B的變化而變化。利用此特性可方便地以磁場為媒介,在非接觸情況下將位移、位置、轉(zhuǎn)速、角度等非電量轉(zhuǎn)變成電量,從而對非電量進行測量和控制。
產(chǎn)品簡介
銻化銦薄膜磁敏電阻是本公司的核心產(chǎn)品,是銻化銦薄膜磁敏電阻類傳感器的核心敏感元件,它具有靈敏度高、可靠性高、性價比高、無接觸測量、頻響寬( 0 - 100kHz )、使用方便等特點。在如高速測量、角度控制、位置控制、信號跟蹤等領(lǐng)域,采用銻化銦薄膜磁敏電阻傳感器常常是理想的解決方案。
工作原理
銻化銦薄膜磁敏電阻是利用銻化銦薄膜的磁阻效應(yīng)而制作的一種新型敏感元件,它的阻值R隨垂直通過它的磁通密度B的變化而變化:B<0.1T時,R∝;B>0.1T時R∝B;B=0.3T時>2.0,如下圖所示。利用此特性可方便地以磁場為媒介在非接觸的情況下將非電量(如位移、位置、轉(zhuǎn)速、角位移、壓力、加速度等等)轉(zhuǎn)變成電量,從而對非電量進行測量和控制。
產(chǎn)品內(nèi)部芯片構(gòu)成圖
銻化銦薄膜磁敏電阻的生產(chǎn)采用先進的薄膜生產(chǎn)及平面光刻工藝,其圖形、尺寸、阻值可根據(jù)需要靈活設(shè)計。我公司現(xiàn)有磁敏電阻產(chǎn)品如下:
產(chǎn)品型號及參數(shù)
型號 |
尺寸(mm) |
阻值(Ω) |
靈敏度 |
工作溫度 |
最大工作電流 |
不對稱性 |
MR-L-1 |
3.8×1.8 |
1×(100~2000) |
> 2.0 |
-20~80℃ |
< 15mA |
|
MR-L-2A |
4.5×3.5 |
2×(300~3000) |
> 2.0 |
-20~80℃ |
< 15mA |
< 10% |
MR-L-2B |
3.0×2.5 |
2×(300~3000) |
> 2.0 |
-20~80℃ |
< 15mA |
< 10% |
MR-L-2C |
7.6×1.8 |
2×(300~3000) |
> 2.0 |
-20~80℃ |
< 15mA |
< 10% |
MR-L-4 |
4.6×4.0 |
4×(300~3000) |
> 2.0 |
-20~80℃ |
< 15mA |
< 10% |
MR-R-2 |
5.0×4.0 |
2×(800~3000) |
> 2.0 |
-20~80℃ |
< 15mA |
< 10% |
產(chǎn)品特點
無接觸測量 體積微小
高信躁比 高可靠性
頻響寬(0-100kHz)
參數(shù)含義
典型磁敏電阻芯片實例
技術(shù)服務(wù)
1、本公司可根據(jù)用戶的要求訂制各種規(guī)格的銻化銦薄膜磁敏電阻,并組裝成傳感器。
2、本產(chǎn)品的封裝及引腳方式可根據(jù)用戶的要求而設(shè)計。
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